相变存储器是目前发展最快的一种新型非挥发性存储器，与传统存储器不同的是它是利用相变材料在晶态和非晶态时表征的具有极大差异的电阻值来存储信息的，需要脉冲形式的电压或电流提供能量来发生相变，这就对现有的测试方法和测试技术提出了新的挑战。本文针对相变存储器的特点，提出了相变存储器电特性的测试方法及实现这些测试方法的测试系统解决方案。相变存储器的电特性参数主要包括存储介质晶态与非晶态时电阻率，存储单元的阈值电压和阈值电流，发生相变所需要的擦脉冲和写脉冲的参数，存储功能参数等。本文给出了以上各参数的测试方法，并给出了相变存储器芯片外围电路测试方法和芯片功能验证流程。相变存储器测试芯片测试系统由控制、激励、检测和接口模块构成。系统中利用LabView图形化编程易介入的特点，增强了测试系统的可操作性和灵活性。结合模拟开关，利用传输线路上的寄生储能单元，采用控制传输路径长度间接控制脉冲宽度的方法，实现了对输出测试脉冲信号的高精度控制，并设计了一种基于二分法的可编程混合信号接口电路。最终完成的测试系统包括16位数据总线和16位地址总线，能产生1ns~1us脉冲激励信号，具有电压、电流、电阻测试功能，系统性能达到了设计指标。以上测试方法和装置，使得相变存储器的测试更加便利快捷，对相变存储器的研究具有一定的促进作用，同时为产业化相变存储器芯片的测试方法和测试装置的研制提供了参考。