有机器件在显示器驱动等领域获得的成功,已经证明其在工业生产中的巨大潜力。酞菁钴(CoPc)半导体材料具备良好的光电特性,当光信号照射器件后产生激子,在半导体材料与金属材料的肖特基势垒接触内建电场作用下分离形成光生电流,实现光信号的检测,为了研究新型有机光敏材料CoPc的光伏特性,本文对结构为ITO/CoPc/Al的薄膜二极管进行特性分析。根据金属/半导体接触理论,解析制备的CoPc薄膜二极管的工作特性,有机膜CoPc分别与ITO薄膜和A1薄膜形成欧姆接触和肖特基接触,制备的CoPc有机薄膜二极管是肖特基势垒二极管。与传统无机PN结二极管相比,肖特基势垒二极管是一种多子器件,具有低正向电压,虽然有机肖特基二极管是有机半导体器件的简单结构,但其研究仍有现实意义,因为肖特基势垒二极管所具有的光伏特性,使它可以用来制作光伏电池和光电信号传感器。首先,本文采用真空蒸镀工艺和磁控溅射工艺制备结构为ITO/CoPc/Al的薄膜二极管。有机薄膜的蒸镀参数在参考其他酞菁化合物的基础上,多次改变温度和时间,最后确定最优参数值,即温度在350℃,蒸镀时间为2h。然后,测量并分析酞菁钴薄膜二极管的光伏特性。对器件进行光照测试,有明显的光伏响应特性,在反向区电流变化非常显著。通过分析测试结果,观察酞菁钴薄膜二极管的I-V特性曲线,得到器件的整流特性,并计算出填充因子FF为0.48,光电转换效率η为0.21%;最后,分别通过对相似吸收强度和相似波长光照射器件,分析影响器件的主要因素。测量在323nm和350nm相似波长的光照射器件,得出填充因子FF分别为0.21和0.11;在450nm和500nm相似吸收强度的光照射器件,得出填充因子FF分别为0.17和0.16。分析数据可得,当波长相近时,吸收强度越大的光,其填充因子就越大;当吸收强度相近时,波长越小的光,其填充因子就越小。