有机薄膜晶体管由于其质量轻、制备工艺简单及与柔性衬底相兼容等特点,已被广泛应用于有机光电子领域,如集成电路、平板显示及光敏传感器等重要领域。本文选用具有较高载流子迁移率、低本征电导率的ZnPc和CuPc混合物作为有机半导体材料;高功函数Cu作为漏电极材料;低功函数Al作为栅电极材料;本实验需要测量有机薄膜晶体管的光电特性,源电极材料需要透光性好的材料,因此选用ITO作为源电极。采用垂直结构制备有机薄膜晶体管器件,有效缩短导电沟道长度,从而降低的驱动电压,提高器件工作电流。本实验使用OLED多功能镀膜系统,分别采用真空蒸镀工艺制备ZnPc/CuPc混合膜,以及磁控溅射工艺制备Cu、Al、ITO薄膜。制备出具有Cu/ZnPc/CuPc混合膜/Al/ZnPc/CuPc混合膜/ITO五层垂直结构的有机薄膜晶体管。之后使用Keithley 4200-SCS半导体测试仪进行器件的电学与光学特性测试。首先,测试Al栅极与ZnPc/CuPc混合膜的肖特基势垒特性,测试结果表明形成肖特基接触,具有优越的整流特性。测试并分析ZnPc/CuPc混合膜晶体管电学特性,ZnPc/CuPc混合膜晶体管静态特性曲线表明,当栅极电压一定时,工作电流随着源漏极电压的增大而增大,并呈明显的不饱和特性;ZnPc/CuPc混合膜晶体管转移特性曲线表明,当源漏极电压一定时,工作电流随着栅极的增大而减小,说明栅极电压对工作电流有明显的抑制作用。根据ZnPc/CuPc混合膜的吸收光谱,选用波长335nm、625nm和700nm的光照射晶体管,晶体管工作电流有明显放大。根据实验结果计算得出晶体管放大率、光生电流及光电敏感度。实验结果表明ZnPc/CuPc混合膜薄膜晶体管具有超高光电敏感度,其中在波长625nm光照射下的光电敏感度最高。其次,与ZnPc薄膜晶体管和CuPc薄膜晶体管性能参数进行对比,数据表明ZnPc/CuPc混合膜薄膜晶体管综合了ZnPc和CuPc两种有机材料的优点,对多个波长光都存在较高敏感度。