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SF6具有高介电强度和良好的灭弧特性,已广泛应用于电气设备的绝缘和灭弧装置中。然而SF6是一种危害大气的温室气体,近些年大部分采用SF6/N2混合气体来替代SF6。由于VFTO的出现,气体在纳秒脉冲作用下的放电过程倍受关注。因此有必要对短间隙纳秒脉冲下气体放电特性进行研究。本文运用一维PIC-MCC(粒子网格与蒙特卡洛法结合)方法对平板电极下SF6与50%-50%SF6/N2混合气体进行数值模拟,用有限差分方法求解泊松方程,通过PIC方法描述带电粒子和电场间的作用,MCC方法描述带电粒子与气体分子间的碰撞,从而将两种方法结合考察带电粒子在电场中的放电特性。分析纳秒脉冲下SF6和50%-50%SF6/N2气体放电过程,结果表明:短间隙纳秒脉冲下气体放电过程分为以下阶段:电子崩的形成发展、电子崩的汇合、电子崩链的形成发展和导电通道的产生,1mm间隙只有电子崩发展过程。模拟纳秒脉冲下1-10mm间距时SF6气体放电过程,得出极板间距由2mm增至10mm时,电子崩汇合时间由9ns缩短至6.2ns,电子崩汇合和电子崩链形成时间提前;1mm时无电子崩汇合和电子崩链产生。模拟不同纳秒脉冲电压幅值下50%-50%SF6/N2气体放电过程,脉冲电压幅值为43kV未达到放电起始电压时无电子崩汇合,电压逐渐增至50kV,电子崩汇合时间由7ns缩短至4ns,随电压增大电子崩汇合和电子崩链形成时间在提前;分析纳秒脉冲上升沿时间对50%-50%SF6/N2放电影响时,上升沿时间由6ns增至20ns,电子崩汇合时间由5.3ns增至11.1ns,随着上升沿时间增加,电子崩汇合和电子崩链形成时间在滞后;上升沿时间为2ns时,无电子崩汇合和电子崩链产生。本文通过分析纳秒脉冲电压下SF6和50%-50%SF6/N2气体放电特性,清晰地认识了纳秒脉冲电压下气体放电的发展规律,有利于气体绝缘介质在电气设备中的应用。