【摘 要】
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石墨烯六边形蜂窝状的二维晶体结构,使其拥有很多优异的物理化学性能,在微电子器件领域有着广阔的应用前景,被认为是21世纪的“革命材料”和“未来材料”。在石墨烯基电子器件中,石墨烯与金属连接中两者间接触电阻的存在极大地影响着载流子迁移率。接触电阻的大小与石墨烯功函数密切有关,因此石墨烯功函数在其器件研究中是需要考虑的一个重要性质。本文使用化学气相沉积（CVD）方法制备生长温度980℃,沉积时间为30
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石墨烯六边形蜂窝状的二维晶体结构,使其拥有很多优异的物理化学性能,在微电子器件领域有着广阔的应用前景,被认为是21世纪的“革命材料”和“未来材料”。在石墨烯基电子器件中,石墨烯与金属连接中两者间接触电阻的存在极大地影响着载流子迁移率。接触电阻的大小与石墨烯功函数密切有关,因此石墨烯功函数在其器件研究中是需要考虑的一个重要性质。本文使用化学气相沉积（CVD）方法制备生长温度980℃,沉积时间为30 min、40 min、60 min的石墨烯薄膜,探索退火处理、支撑衬底、光照等条件对石墨烯薄膜结构、形貌、功函数的影响。主要研究内容如下:（1）研究了退火处理对石墨烯薄膜功函数的影响。利用开尔文探针力显微镜（KPFM）对石墨烯薄膜进行表面电势表征,计算出退火前后的功函数,探讨退火处理对薄膜功函数的影响,实验结果表明,退火导致石墨烯的功函数显著下降。同时结合拉曼光谱和原子力显微镜分析对退火导致石墨烯功函数下降的原因进行了探讨。（2）研究了光照处理对石墨烯薄膜功函数的影响。利用KPFM对石墨烯薄膜进行表面电势表征,计算出功函数,探讨了光照条件下不同光照时间和衬底上石墨烯薄膜功函数的变化,结果表明由于不同衬底对石墨烯的掺杂差异,导致光照对不同衬底石墨烯薄膜功函数的影响不同,铜衬底上光照对石墨烯功函数有较大影响,而Si O2/Si衬底上影响较小。
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