由于半导体激光器体积较小并且调制方便，因此在某些高速相干通信系统中，具有很高调制带宽和窄线宽的1053nm半导体激光器可以取代固体激光光源。 本论文详细论述了1053nm高速窄线宽半导体激光器的研制过程。进行了调制带宽、量子阱和应变量子阱、条形结构、线宽、外腔和光纤光栅的理论分析。给出了激光器的具体设计过程。为了提高1053nm激光器的调制带宽和压窄其线宽，我们进行了如下工作：根据要求选择渐变折射率分别限制异质结的InGaAs/GaAs单量子阱激光器结构；计算有源区的厚度和In组分以及其它外延层的材料参数；根据薄膜光学的原理设计单层增透膜和多层高反膜；为获得窄线宽设计了均匀光纤光栅；在研究过程中不断优化工艺，如脊形波导制作、欧姆接触、键合、与光纤耦合等；设计了激光器的高频封装。通过反复实验，最终我们得到了性能优良的器件。