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近年来，由于垂直对齐的ZnO纳米棒阵列拥有优异的光电性能以及在光电器件中具有潜在的应用前景，其结构特征的研究引起了人们的广泛关注。垂直对齐的ZnO纳米棒阵列可以用来构筑不同结构的纳米光电器件，而相对应的ZnO纳米棒阵列的形貌、密度、间距会对器件的性能产生不同的影响。因此构筑形状、位置可控的ZnO纳米结构不仅可以扩大其在光电器件方面的应用，还可以提高器件的性能。目前用于生长ZnO纳米棒阵列的图案化方法主要有电子束刻蚀技术、纳米压印技术、胶体球刻蚀技术、激光干涉光刻技术等。在这些方法中，电子束刻蚀技术是一种高精度的图案化构筑技术，利用电子束刻蚀技术与水热法结合的ZnO纳米棒阵列构筑方法可以实现对ZnO纳米棒阵列形貌、密度、间距的有效调控。另一方面，将高度有序、垂直对齐的ZnO纳米棒阵列转移到玻璃和柔性基底上，可以有效的避免多晶ZnO种子层对阵列光电性能的影响，同时可以消除高质量单晶基底（如蓝宝石和氮化镓基底）对器件构筑的影响，从而提高纳米器件的光电特性，对构筑基于氧化锌纳米棒阵列的高性能纳米器件提供了技术支持和前期基础。基于此，本论文主要从以下三个方面开展研究。1、我们在硅片、ITO基底、Al2O3（0001）基底、ZnO膜上生长出了图案化的ZnO纳米棒阵列，研究了ZnO种子层和基底对ZnO纳米棒形貌和排列方式的影响。结果显示，种子层和基底对ZnO纳米棒阵列的形貌有很大的影响：在磁控溅射ZnO种子层的硅片和ITO基底上生长的ZnO纳米棒呈簇状，在离子束溅射ZnO种子层的Al2O（30001）基底上则可以长出垂直对齐的单根ZnO纳米棒阵列，但是ZnO纳米棒直径较大（1微米左右），制约了ZnO纳米棒阵列的进一步应用。2、为了减小ZnO纳米棒的直径，提高ZnO纳米棒阵列的长径比，我们通过调控水热条件（前驱体浓度、反应温度、时间），以及添加PEI分子和氨水对ZnO纳米棒阵列的直径、长度、形貌进行了有效调控。最终成功制备了直径在300nm左右、高长径比的图案化ZnO纳米棒阵列，为后续阵列在不同基底上的转移提供了前期基础。3、我们利用纳米压印辅助垂直转移的方法将垂直对齐的ZnO纳米棒阵列成功转移到了ITO玻璃基底，在转移过程中保持了ZnO纳米棒阵列的垂直方向和完整性，实现了对纳米棒阵列的整体转移。同时这种垂直转移方法可以用来转移不同间距以及不同形貌的纳米棒阵列，证明了这种方法的普适性。随后我们利用这种转移方法将簇状的ZnO纳米棒阵列转移到了玻璃、铜箔、塑料基底，得到了反型的氧化锌纳米结构，表明这种转移方法不仅适用于玻璃、ITO等常规基底，同样适用于塑料、铜箔等柔性基底。最终我们将转移的ZnO纳米棒阵列通过掩模刻蚀技术构筑了Ag电极，并对其光电特性进行了初步的探索。