基于半导体材料独特的性质以及光纤的波导结构,半导体芯复合材料光纤在传感、非线性光学、能量转换等领域具有重要的应用前景。复合材料光纤的后处理技术因能调控复合材料光纤的纤芯结构从而实现光纤综合性能的提升,受到了越来越多的关注。目前激光热处理法已经实现了不同单晶半导体芯复合材料光纤的制备,改善了多种光纤性能,如降低光纤传输损耗,提升光电响应特性。但是,激光热处理法制备的单晶半导体芯复合材料光纤存在着纤芯应力分布不均、光纤长度较短等问题。本文选择半导体碲芯复合玻璃光纤作为研究对象,采用不同的复合材料光纤后处理技术,分别是激光热处理法与坩埚下降原理的下降热处理法,探索并实现了纤芯由多晶态向单晶态的转变过程,提高了光纤的光电、压力传感方面的性能。具体研究内容和研究成果如下:（1）研究了Te纤芯/硼硅酸盐玻璃包层复合光纤前驱体的制备。采用熔融芯法制备了包层外直径为800μm,纤芯直径为123μm的Te芯复合玻璃光纤。通过元素分析发现Si、O元素没有明显扩散进入纤芯的现象,纤芯保持较高的纯度。（2）研究了下降热处理法制备单晶Te芯复合玻璃光纤的电加热纤芯单晶化后处理技术。提出基于坩埚下降原理的复合光纤下降热处理方法,并设计了电加热光纤下降炉,下降热处理参数为下降速度5 mm/h,中心高温区温度460～500℃。多项测试结果表明多晶态Te芯复合玻璃光纤前驱体经过下降热处理后转变为单晶态Te芯复合玻璃光纤,且单晶Te芯的晶体取向沿纤芯轴向与晶体c轴同向。在532 nm激光照射下,多晶Te芯复合光纤前驱体无明显光电响应,单晶Te芯复合光纤的电导率明显高于黑暗条件下的电导率;单晶Te芯复合光纤的电导率比多晶Te芯复合光纤前驱体在黑暗及光照条件下分别增长了23%和32%。单晶Te芯显示出了压力传感特性,当单晶Te芯的两端受到压应力作用时,电导率为4×10^-3Ω^-1cm^-1,比无应力作用条件下高出约一个数量级。（3）研究了532 nm激光热处理对多晶态Te芯复合玻璃光纤前驱体的纤芯单晶化后处理技术。采用200 m W激光功率与5 mm/h激光移动速度对光纤前驱体进行激光热处理。单晶X衍射证明经过激光热处理得到的复合光纤的纤芯为Te单晶。拉曼测试表明激光热处理过程中纤芯Te晶体的生长存在几何淘汰过程,经过至少3 mm长度的晶体排杂,纤芯才能形成完全沿晶体c轴方向生长。