氮化镓基材料(GaN)尤其是InGaN/GaN量子阱材料是目前研究最为广泛的宽禁带半导体,是近年来蓝紫光半导体激光器研究中最重要的材料之一。围绕半导体材料的一些关键参数进行实验测量和深入分析,对这些参数给出定量的描述,有助于了解半导体材料的发光特性,为改进半导体器件的结构,增加出光效率提供参考。　　 本文简单介绍了测量光增益的两种方法--H-P方法和变条长方法。结合文献中的实验结果,介绍了目前变长条实验中,量子阱数目、激发功率、TE和TM模模式与增益的关系,介绍了增益饱和,增益饱和长度的概念。　　 接着,本文针对目前国内外对于InGaN/GaN多量子阱材料的两种主要发光机制的争论,通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光谱(PL)的实验分析,研究了含In量子阱材料的辐射发光机制。利用多通道.Arrhenius方程可以很好的拟合所得到的积分PL谱,进一步得到不同In含量(10％,14％,16％)材料中In团簇所造成的局域能量,并利用In团簇的观点对PL峰值位置随温度的S型变化曲线给出合理的解释,并说明S型的温度曲线并不是来源于QCSE(量子限制Stark效应),而是与量子阱中In团簇有关。给出了激活能和温度曲线中拐点温度与In含量的关系。对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,而温度曲线中第二个拐点的温度即激子由于热扰动脱离局域所需要的温度越高,从而进一步说明InGaN/GaN量子阱材料的发光主要是与In团簇有关。