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碲镉汞(HgCdTe)材料是目前最重要的红外探测器材料之一,其中以HgCdTe光伏器件为主。光伏型碲镉汞红外探测器为pn结阵列结构,pn结的性能会直接影响到器件的性能和效果,而pn结的轮廓尺寸就成为了分析碲镉汞红外探测器件性能的一个重要参数。本文利用激光束诱导电流法(LBIC)和I-V测试法,对n+-on-p结构的p型HgCdTe材料pn结轮廓尺寸进行了一系列测量,取得了一些成果,主要内容如下:1.解释了LBIC的工作原理:由光照射激发pn结产生光生载流子对,在内建电场的作用下产生的电流信号;搭建了LBIC测试系统,并成功的达到了系统对精度的要求,激光光斑直径最小能达到5μm,测试步进最低能达到1μm;对LBIC测试系统进行初步判断,测量结果符合实际值;研究了光斑直径、扫描步进对LBIC测试系统测量精度的影响,发现在一定范围内,光斑直径对系统测量精度的影响不是很大,而扫描步进对系统测量精度影响较大,步进越小,测量结果越准确。2.对干法刻蚀成结的HgCdTe材料pn结轮廓尺寸进行了测量,通过LBIC测量结果研究发现:干法刻蚀时间越长,反型层深度也越深,刻蚀损伤引起的pn结结区扩展越严重,在一定范围内,pn结结区扩展大小与刻蚀坑深度成近似线性关系;对比刻蚀成结样品在热处理前的结果,发现经过180℃热处理2.5min后,样品pn结结区并未出现明显的结区再扩展情况。对比同个样品的LBIC测量结果和I-V测量结果,发现:两种方法得到的结果一致,但LBIC测试系统得到关于样品pn结的信息更为全面。3.通过LBIC和I-V测试法测量了Hg空位掺杂的p型HgCdTe材料pn结轮廓尺寸,测量结果显示:Hg空位掺杂的HgCdTe材料由注入损伤引起的pn结结区横向扩展范围较小,在经过180℃热处理2.5min之后,样品pn结结区发生了横向扩展。然后利用LBIC测试系统测量了In、Au掺杂的p型HgCdTe材料pn结轮廓尺寸,研究发现:相对于Hg空位掺杂,In、Au掺杂样品由注入损伤引起的pn结结区横向扩展范围较大,推论可能是因为Au的不稳定性及在HgCdTe材料近表面处Au的高聚集导致的;而经过不同热处理时间后样品的测量结果显示样品pn结结深变大,横向结区大小也随着热处理时间的增加而增加。