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在本文中,借助于低压MOCVD设备,生长了一系列CdZnSe/ZnSe短周期超薄量子阱,并通过光致发光测试等手段对该结构的光学性质进行了表征.
CdZnSeZnSe超薄量子阱及其发光特性
【摘 要】
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在本文中,借助于低压MOCVD设备,生长了一系列CdZnSe/ZnSe短周期超薄量子阱,并通过光致发光测试等手段对该结构的光学性质进行了表征.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室(长春市)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年8期
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