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本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品的p型层蓝发光特性进行研究.
GaN基高亮度绿色LED材料蓝带发光特性研究
【摘 要】
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本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品
【机 构】
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清华大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室(北京)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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