论文部分内容阅读
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O<,2>为生长源,在外延的GaN/Al<,2>O<,3>薄膜上生长出高质量的ZnO薄膜.
MOCVD法生长ZnO/GaN/Al<,2>O<,3>多层结构
【摘 要】
：
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O为生长源,在外延的GaN/AlO薄膜上生长出高质量的ZnO薄膜.
【机 构】
：
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点联合实验室(长春)
【出 处】
：
中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
记者:郑主任,您好!近年来,住房问题一直是人们关注和议论的焦点。这个问题也是今年“两会”期间代表和委员们最关注的话题之一。目前,我国许多城市的房价都达到历史最高水平
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-AlO衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ
目的：探讨UF-50型全自动尿沉渣分析仪的临床应用价值。方法用UF-50型全自动尿沉渣分析仪对200例血尿标本进行检测，观察尿红细胞形态，用以鉴别肾源性血尿和非肾源性血尿。统计红
我们设计了一种专为固态源使用的新式源瓶,其中舍弃了传统的导流管,同时加入了特殊的不锈钢筛.我们发现了一个载入100克三甲基铟的固态源瓶可提供超过总数相当于93克的饱和蒸
用Zn(CH)和CO为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用AlO(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测量了这两种样品退火前后的X射线衍射谱以及PL
本论文利用MOCVD法在C-ALO衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激光器、原子力显微镜等测试手段对ZnO薄膜质
为了解抗肿瘤药物(antineoplastic drugs,AD)的职业危害,笔者研究了AD对职业接触护士外周血粒细胞、单核细胞凋亡及fas、bcl-2基因表达的影响。
本文通过自制的在位监控系统对MOCVD方法生长GaN缓冲层的特性及其对外延层质量的影响进行了深入的研究.实验结果表明,GaN低温缓冲层的生长速率受氨气的流量,生长温度和反应室
本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间