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本文介绍了在同一个薄膜基片上,用Cr·SiO材料制作高方阻电阻,用NiCr、Cr·SiO并联的方法制作小方阻电阻.通过实验及可靠性考核,制出了高精度、高可靠性的具有双方阻结构的混合集成电路薄膜电阻成膜基片.
同一基片上制作两种薄膜方阻的电阻研究
【摘 要】
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本文介绍了在同一个薄膜基片上,用Cr·SiO材料制作高方阻电阻,用NiCr、Cr·SiO并联的方法制作小方阻电阻.通过实验及可靠性考核,制出了高精度、高可靠性的具有双方阻结构的混
【机 构】
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中国航天时代电子公司第771研究所,西安,710054
【出 处】
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第十四届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
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2005年期
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