Co2MnSi合金薄膜磁、结构及热特性研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cookid
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  Co 基Heusler 合金具有大的磁矩及室温半金属性在磁电器件领域是一族非常重要的材料.其中,Co2MnSi 合金具有高的居里温度(985 K)和小的阻尼系数而倍受关注.该合金可以结晶成由四个面心立方子晶格套构的高度有序的L21 结构.最近,该材料中测量得到高达93%的高自旋极化率.Co2MnSi 薄膜的磁特性对其结构及生长、退火温度非常敏感,研究该材料磁及结构特性及热效应对其在器件方面的应用非常重要.
其他文献
采用多参考组态相互作用方法[1-2]和全电子基组(其中Li为aug-cc-pwCV5Z、Rb为自然轨道基组),计算了LiRb分子四个态X1Σ+,a3Σ+,B1Π和b3Π态的势能曲线。基于Le Roy[3]等人提出的含有长程相互作用的表达式,拟合了能够精确再现从头计算势能曲线的解析势能函数。在此基础上计算和分析了这些电子态的能级结构和光谱特征,结果与相关实验符合良好。
偏振成像探测,特别是含有圆偏振的成像可广泛应用于生物医学成像、天文学、材料科学、空间遥感和军事目标识别等领域,获取丰富的物质偏振光谱信息,是目前研究的一个热点。高消光比和宽工作波段是偏振成像探测应用追求的主要目标,而要实现对活体生物和移动军事目标的全Stokes矢量实时偏振成像探测,则必须使用线偏与圆偏单元集成的阵列器件,因此,具备可集成性的高性能圆偏振器件是其中的关键之一。
由于ZnO 缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO 有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致其他因素,例如:阱和右垒的尺寸,Mg 组分大小等将影响系统中形成二能级。本文考虑内建电场,导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr(o)dinger 方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO 缓冲层对此类量子阱结构形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响。
有机半导体激光器的研究一直是纳米光子学和有机光电子学领域非常活跃的研究领域。而电泵浦有机半导体激光器则是该领域尚未解决的科学难题,面临多方面的技术和物理学挑战。其问题的核心在于电泵浦激光发射所要求的阈值远大于有机半导体薄膜电致发光器件的破坏阈值。
常规的具有几何手性的平面结构通常只表现出微弱的圆二色性.研究人员主要集中在利用对称性分析以及结构设计来增强和解释周期结构的光学手性1.但对于单个等离激元纳米结构,由于它们光与物质相互作用体积的减小,这项任务仍然具有挑战性.等离激元Fano干涉可以极大地增强单个金属纳米结构中光与物质相互作用的强度,这是由于电子集体振荡的亮模式(bright mode)和暗模式(dark mode)的间接耦合,产生了
“反点”阵列是一种在均匀薄膜上制备出规律排列的孔洞结构,其输运性质表现出一系列不同于均匀薄膜的新奇现象,而随机分布的“反点”阵列的输运性质尚鲜有报道。我们利用聚焦离子束直写技术在Au 薄膜上制备了随机分布的“反点”阵列结构[图1(a)],并对其低温输运性质进行了测量。
钙钛矿以其优异的特性,近年来作为吸光层被广泛应用在太阳能电池中。它的效率也在短短的几年间就超过了20%,成为很有潜力的一种太阳能电池。然而,钙钛矿本身还存在很多问题有待于解决,比如它的不稳定性。
铜锌锡硫(CZTS)是有望取代CdTe,Cu2In(Ga)S(Se)2 吸收层的最佳候选材料,近年来受到国内外高度研究关注.和CdTe,Cu2In(Ga)S(Se)2 薄膜太阳电池相比,CZTS 基薄膜太阳电池研究进展比较快,目前其效率已达12.6%.但和理论效率32.2%相比,还有很大提升空间.实际效率和理论效率的巨大差距主要归结为化学配比控制难、多元结构的复杂性、表面缺陷多、带隙调节难、单相的
利用第一性原理计算方法,对纯的立方碳化硅和铜掺杂立方碳化硅的几何结构、电子结构和光学性质进行了对比研究,计算结果表明掺杂后立方碳化硅的能带结构由原来的间接带隙变为直接带隙,并且,带隙宽度随着铜杂质浓度的增加而增大.通过对吸收谱的研究,发现在7.5 至10 电子伏特的高频区域,随着铜杂质浓度的增加,加速了光生电子和空穴对的重组,抑制了光催化特性,从而使得吸收谱的强度逐渐减弱.并且利用电子带间迁移对吸
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