HDPE-EVA/CB复合材料阻-温特性的研究

来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xy_lfr
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了HDPE-EVA/CB复合材料的电阻非线性正温度系数现象和冷-热循环下的阻-温重复性,用DSC和SEM对样品进行了分析.结果表明,随着复合材料中EVA含量的增加,HDPE-EVA/CB复合材料的室温电阻率增加,PTC强度减小.当EVA的质量含量<27.4﹪时,复合材料的室温电阻率<2.4Ω·m,PTC强度>7.1,NTC效应<0.5.经过4次冷热循环后复合材料有好的电阻率-温度重现性;主要组分在样品中的分布均匀。
其他文献
在水包油(O/W)乳浊液体系中成功地合成了CdS纳米空心球,通过XRD,SEM,TEM和UVvis等测试手段对该光催化剂进行了表征.并对其形成机理进行了初步探讨.以亚甲基兰作为被降解物质,
利用水热法制备了球形NiO.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、循环伏安、恒电流放电、电化学阻抗谱等方法对样品形貌及电化学性能进行了表征和测试.研究结果表明,晶化处理
采用射频(RF)磁控溅射的方法,以Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底材料,制备了高度(111)择优取向生长的(Zr0.8,Sn0.2)TiO4(ZST)薄膜.运用X射线衍射(XRD)和原子力扫描显微镜(AFM)对ZST
会议
采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,金属镍为催化剂,在Si(111)衬底上成功制备出了大量的GaN纳米带.采用场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对
会议
通过构建不同温度Si(100)2×1基底下入射生长锗薄膜模型,采用分子动力学模拟的方法,运用双体分布函数与近邻配位数及原子轨迹法对生长过程及结果进行分析讨论.模拟发现,不同
利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制.
相变存储器具有非易失性、长循环寿命、低功耗、低成本、元件尺寸可纳米化、高速读取、多级存储、以及与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最有可能的下一代存储器.
为了研究二氧化钛和稀土氧化镧掺杂对铌酸锶钡基陶瓷性能的影响,采用固相法制备了SBTN(Sr0.7Ba0.3yTiO2·(1-y)Nb2O5+xLa2O3)陶瓷,并对其进行了X射线衍射(XRD)、扫描电镜观测
会议
采用热压通氧烧结工艺制备水声换能器用的PLZT压电陶瓷材料,用SEM显微扫描镜观察了陶瓷晶粒生长发育的情况,用XRD测试了样品的相结构,表明用气氛热压烧结法制备的压电陶瓷在
会议
1985年11月25日,281大队科技委员会召集了部分技术人员座谈对《国外铀矿地质》的意见。座谈会由吴主任亲自主持,大队长、总工程师、地质科长和科研队队长等业务领导都出席了