GaAs衬底的GaN蓝光二极管的工艺设计

来源 :第七届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wwg139580
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作者们利用光学薄膜原理论上计算了利用金属薄膜作为反射,利用WB(wafer bonding)方法去掉GaAs衬底并将之替换成Si衬底,从而提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性。从计算中可以得出,以Ni为粘附层,Ag为反射的Ni/Ag/Au薄膜体系具有最佳的效果,采用这个方案可以使立方GaN的出光效率从理论上提高3倍左右。
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