正电子寿命相关论文
对充氚和未充氚的抗氢-2不锈钢(HR-2)样品进行退火处理，利用正电子湮没寿命谱技术(PAL)以及透射电镜(TEM)等技术探讨不锈钢中氦和微......
该文采用正电子湮没寿命谱测量技术研究了3×10n/cm注量快中子辐照后的α-AlO
中空洞尺度随退火温度的变化。实验结果表明，辐照的α......
测量了去合金后的掺砷双相黄铜H_(62)As中的正电子寿命,为黄铜优先腐蚀的双空位机制提供了较为直接的实验证据。讨论了掺砷黄铜抑......
用阴极充氢方法对1000℃退火Cu、1000℃淬火Cu、600℃淬火Al进行充氢,分别测量了 充氢前后各组样品的寿命谱,用Positronfit程序解......
NiAl合金具有许多优异的物理性能:它的密度低,仅为5.86g/cm~3;它的熔点高达1640℃;它有高的热传导性,是Ni基高温合金的4～8倍;它还具......
通过测量二元Fe3 Al以及含Si或Nb的Fe3 Al合金的正电子寿命谱参数 ,计算了合金基体和缺陷处的价电子密度 .结果表明 ,Fe3 Al合金基......
本文采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命.动量关联谱(AMOC)对不同温度下真空退火以及水蒸气环境下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构......
近年来,超支化聚合物由于其高度的支化性、多官能团以及三维球状结构等独特的性能引起了科学和应用上的广泛关注.发表了大量优秀论......
本文报道一种聚乙烯/纳米碳酸钙复合材料的制备、力学性能,以及用正电子寿命谱学研究其微结构的初步结果与试验数据.......
本文利用正电子寿命谱技术对光掺杂的半导体材料YBCO样品进行系列实验研究,报道了部分实验结果,讨论了光掺杂机理.......
以正电子直接触发闪烁体作为起始时间信号，设计并建立了三探头符合β~＋-γ正电子寿命谱仪。谱仪时间分辨率ＦＷＨＭ＝２５５ｐｓ，并已应用到实际测量工作中......
正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针.正电......
该文测量了不同掺Zn浓度的p型InP材料中正电子寿命随温度的变化。结果发现随着温度的上升，带负电荷的受主Zn会与带正电荷的P空位发......
该文分别使用正电子寿命方法与超声衰减方法对金属铝和钢疲劳样品进行了测量，在疲劳加载次数较小时，正电子参数将随着疲劳加载次数的......
该工作用750MeV氩离子在室温下对单晶硅样品进行了辐照，用正电子寿命测量技术对辐照产生的缺陷进行了研究。......
用正电子湮没寿命谱及最大熵原理研究了塑性形变p型GaAs中的缺陷性质。样品原始载流子浓度为2.63×10cm。形变量分别为2.5℅和15℅......
测量了不同CaO掺杂量的CeO2氧离子导体 (CaO)1-x(CeO2)x的正电子寿命谱.发现正电子寿命随x的增加 (x从0.05到0.5) 先增大后减小,峰......
正电子寿命分析技术是研究材料微观结构的有效手段，本文对国内外正电子湮没技术的发展作了简要的回顾，着重对正电子湮没寿命测量技术......
本论文研究氧含量和稀土掺杂对铁磁电材料BiFeO电学性质的影响。采用固相反应法制备一系列样品，利用XRD物相分析评价样品晶粒生长状......
采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
通过测量Ni50 Al50 ,Ti50 Al50 ,Fe60 Al4 0 ,Fe72 Al2 8合金和高定向石墨晶体的正电子寿命谱参数 ,分别计算了这些样品基体和缺陷......
在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和ME......
用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明......
测量了不同CaCO3含量的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-CaCO3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其Ⅰ-Ⅴ特性,研究了CaCO3对ZnO基压敏陶......
采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电......
在密度函数理论的基础上,采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了石墨,金刚石和C60这三种碳的同素异形体中的正电子分......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
通过正电子寿命测量及结构分析 ,研究了氦气氛球磨LaNi4 .75Al0 .2 5和Zr50 Co50 贮氢合金中氦的存在行为 .研究结果表明 :随着气......
测量了ＴｉＡｌ，Ｔｉ５０Ａｌ４８Ｚｒ２和Ｔｉ５０Ａｌ４８Ｎｂ２的正电子寿命谱，并利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。ＴｉＡｌ合金基体的自由电子密度比金属Ｔｉ和金属Ａｌ基......
根据正电子在凝聚态物质中的湮没机制及捕获模型，讨论了正电子湮没参量所反映的物质信息，给出了各正电子湮没参量与所反映的物质信息......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
研制了一种数字式三检测器-正电子寿命谱仪。它由一个DRS4波形数字化板和三LaBr3闪烁探测器耦合XP2020Q光电倍增管。DRS4波形数字......
研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物......
研究了Ti-50AI和Ti-45Al-8Nb合金在锌液中的腐蚀行为，并测量Ti-50Al和Ti-45Al-8Nb合金的正电子寿命谱，利用正电子寿命参数分别计算了......
本文报告了对低掺La的具有半导体化特性的BaTiO_5陶瓷的正电子寿命研究。实验结果发现,正电子湮没参量随掺La量的变化有着奇特的现......
测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱.结果表明:所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间.......
用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4（X=0．12，0．15，0．20）和La1.88Sr0.12CuO4，结果表明随着Sr掺杂量的增加，空穴载流子增加，而正电子寿命......
采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,O.2％,0.3％,0.4％,0.5％,0.6％,0.7％);对其室温电阻率进行了测量,结果显......
采用固相反应法制备Ba1-xCaxTiO3陶瓷样品,运用X射线衍射技术进行物相分析,利用HP4294A阻抗分析仪测量样品在室温下的介电特性随频......
研究了B2型多晶NiAl的晶界结构对缺陷态正电子寿命的影响,并结合正电子谱探讨了热挤压及超塑性变形过程后的晶界结构.热挤压后的Ni......
多品样品Ni_3Al的正电子寿命和多普勒展宽测量是在室温下进行的。改变样品中的铝成分,并在掺硼与不掺硼的情况下进行了15种样品的......
