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该文提出了一种修正电子束直写／制版时邻近图形对深亚微米线条的影响的算法。通过一组简单图形的电子束暴光测得不同宽度的图形对不同距离其他图形的影响值，并据此对版图中所有图形尺寸进行修正，从而得到期待的硅片或掩膜图形。
深亚微米图形电子束直写时一种版图修正算法
【摘 要】
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该文提出了一种修正电子束直写／制版时邻近图形对深亚微米线条的影响的算法。通过一组简单图形的电子束暴光测得不同宽度的图形对不同距离其他图形的影响值，并据此对版图中所有
【机 构】
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科学院微电子中心(北京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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