【摘 要】
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在(100)硅片上进行各向异性腐蚀时,能暴露垂直的{100}面、倾角为45°的{100}面和倾角54°的{111}面,{111}面是沿着方向形成的,{100}和{110}面是沿着方向形成的.用纯KOH水溶液
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室(长春)
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在(100)硅片上进行各向异性腐蚀时,能暴露垂直的{100}面、倾角为45°的{100}面和倾角54°的{111}面,{111}面是沿着<110>方向形成的,{100}和{110}面是沿着<100>方向形成的.用纯KOH水溶液和KOH+IPA(异丙醇)混合水溶液在(100)硅片上沿<100>方向腐蚀所暴露的平面是不同的,使用纯KOH水溶液总是能暴露与衬底垂直的{100}面,在使用KOH+IPA混合溶液时,当KOH的浓度较低时,暴露与衬底倾角是45°的{110}面,当KOH溶度高于50﹪时,暴露出光滑且与衬底垂直的{100}面.根据这一结论,使用KOH浓度高于50﹪的KOH+IPA混合水溶液,在(100)硅片上沿着<100>方向制作出微反射镜,微镜的表面粗糙度低于10nm.
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