基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xj3301365

【摘要】

：

本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来。

【作者】

：

何进牛旭东宋岩张兴王阳元

【机构】

：

北京大学微电子学院,北京,100871 北京大学深圳研究生院,深圳,518055

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

双栅MOSFET 解析模型载流子方法 CMOS器件

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

氢对钛合金组织和性能的影响

针对钛合金热加工抗力大、变形困难等问题,开展了Ti600、TC21、Ti40钛合金置氢过程中的组织演化和室温、高温拉伸性能变化研究.探讨氢处理对钛合金组织以及加工工艺塑性的影响.结果表明,置氢后,Ti600、TC21和Ti40三种钛合金在晶界及晶内形成氢化物,Ti600、TC21晶粒出现不同程度的细化:而Ti40钛合金晶粒度没有发生明显变化.随着氢含最增高,钛合金的室温抗拉强度和延伸率逐渐降低,说

会议

钛合金氢处理显微组织力学性能加工工艺高温塑性

微晶硅薄膜太阳电池光稳定性研究

本文利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验.通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化,结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有变化;同时研究了不同晶化率微晶硅薄膜太阳电池在白光下的J-V特性与量子效率(QE)变化,以及低晶化率的太阳电池在两种光源下的衰退情况,结果表明微晶硅薄膜太阳电池光衰退现象主要发生在

会议

VHF-PECVD微晶硅太阳电池光稳定性

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究

SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期时Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(11

会议

SGOI材料Ge浓缩技术氧化退火

外延片量产中雾片的判定

由于受到整机市场价格下降的压力,现在用于功率器件的外延片价格越来越便宜,但用户对硅片的质量要求却越来越高.因此,对于外延厂商来说,在稳定和提高质量的同时,必须要提高产率,才能降低成本.外延片的质量检测有两种,一种是破坏性的.另一种是非破坏性的,如表面强光检查,参数测试、或者金属含量分析深入检查.通过强光检测,表面有缺陷的硅片被判为不合格品(雾、黑点、钉、颗粒)等.但是雾的程度很难判断,因此经常发生

会议

外延片雾片强光检测

n型4H-SiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究

本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移率的影响,模拟了电子霍尔迁移率随温度变化的规律.在温度较低且掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大,而在温度较高时,谷间声子散射成为主要的散射机制.

会议

4H-SiC有效载流子浓度霍尔迁移率中性杂质散射补偿率温度特性

化学Ni源的金属诱导晶化多晶硅研究

用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、PH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.本文用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此

会议

化学Ni源非晶硅薄膜多晶硅金属诱导

硅衬底上氮掺杂ZnO薄膜的光致发光

用Al-N共掺方法在Si衬底上制备出了p型ZnO薄膜.光致发光谱表明其发光峰位于3.1eV附近,且随着生长温度升高发生红移.结合吸收谱分析表明,该发光峰起源于局域化的载流子.讨论了局域化载流子的形成原因.

会议

硅衬底氮掺杂ZnO薄膜光致发光

离子注入间接诱导的高驰豫锗硅

应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延锗硅发生驰豫,以制备薄的高驰豫锗硅.利用微区Raman和TappingAFM技术,对所生长的锗硅材料进行了表征

会议

驰豫锗硅超高真空化学气相沉积离子注入

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的研究

在考虑电子自旋和声子之间相互作用情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC内弱耦合二维磁极化子能量的影响.数值计算结果表明:自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加分裂间距增大;自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比与B无关,恒为0.23;自旋能量与自能之比小于自旋能量与自陷能之比,但非常接近,其比值随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,其比值分别为0和0.008;自旋能

会议

SiC自旋电子学自陷能磁场效应弱耦合

半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/

会议

硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展

与本文相关的学术论文