ADSP-TS101S γ瞬时辐射效应初步试验研究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aajilin
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文从数字电路瞬时电离辐射损伤机理分析入手,围绕数字信号处理芯片ADSP-TS101S设计了一个最小系统,主要测试TS101S在γ射线瞬时辐射环境下工作的稳定性和可靠性,经过初步试验研究,对TS101S的瞬时电离辐照效应有了基本的了解,为以后进一步研究工作奠定了基础.
其他文献
本文论述了小波分析的基本原理,应用Daubechies正交小波,设计了对信号按频率要求进行逐级分解与重构的小波计算程序,对典型信号进行了信噪分离.
根据柔爆索滑移爆轰的物理特点,做出适当的假定,建立了锥壳结构柔爆索加载的设计理论,采用优化方法,推导了锥壳结构加载的柔爆索分布设计计算公式;编制了相应的计算程序,给出
本文介绍了用砷化镓、磷化铟三五族化合物半导体作为制作高灵敏度γ射线探测元件的材料的辐照实验结果.以及用该材料制成的电阻型γ射线探测元件用于GaAs电子开关的自触发电
本文研究一种新型的高灵敏度γ探测器技术,利用对γ射线敏感的特种半导体材料及双极器件的电流放大特性形成的二次光电流,满足探测器灵敏度和响应时间要求,研制出了一种高灵
本文简要分析了PIN探测器的工作原理,针对低工作偏压条件下低阈值γ瞬时辐射环境探测问题,重点进行了PIN探测器应用技术研究,最后给出了辐照试验结果数据.
从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法——伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,提供了一个设计实例,给出了计算机仿真分析结果.伪闭锁路
本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在"强光一号"加速器上的γ瞬时辐
会议
本文介绍了BM2801MC时序控制器电路加电工作时,在γ剂量率辐照下出现的闭锁效应,结果表明,BM2801MC时序控制器电路受瞬时辐射的闭锁阈值为106Gy(Si)/s量级.
本文介绍了电子器件的脉冲宽度效应基本原理,以及脉冲宽度与辐照响应的关系.在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:~20ns,~50ns,剂量率为106~10sGy(Si)/s下,对两种三端稳压器进行
本文以80C196KC单片机为核心设计了计算装置,并在加速器上对其γ瞬时辐射效应进行了初步试验研究.初步掌握了其受瞬时辐射引起不同效应的损伤阈值范围,并对应用瞬时回避技术