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从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法——伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,提供了一个设计实例,给出了计算机仿真分析结果.伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动.
抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法
【摘 要】
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从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法——伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,提供了一个设计实例,给出了计算机仿真分析结果.伪闭锁路
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所(四川绵阳);北京邮电大学(北京)中国工程物理研究院电子工程研究所(四川绵阳)北京邮电大学(北京)
【出 处】
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第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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2004年11期
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