【摘 要】
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本文介绍了电子器件的脉冲宽度效应基本原理,以及脉冲宽度与辐照响应的关系.在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:～20ns,～50ns,剂量率为106～10sGy(Si)/s下,对两种三端稳压器进行
【机 构】
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中物院电子工程研究所,四川绵阳919信箱522分箱,621900
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
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本文介绍了电子器件的脉冲宽度效应基本原理,以及脉冲宽度与辐照响应的关系.在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:～20ns,～50ns,剂量率为106～10sGy(Si)/s下,对两种三端稳压器进行了辐照试验,对其辐照响应进行了分析,结论认为脉冲宽度是瞬时辐照效应的重要考察因素,γ脉冲宽度越宽,辐射存储时间越长,辐照响应越强.
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