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在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs量子点进行了表征.
高势垒掩埋的垂直堆垛InAs量子点的独特性质
【摘 要】
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在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs
【机 构】
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中山大学光电材料与技术国家重点实验室(广州市)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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