变温光致发光谱相关论文
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜......
本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的InGaAs材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH与......
利用低温光荧光技术研究了掺铒硅样品的光致发光特性。硅衬底室温离子注入铒离子，经过低温退火后，样品的发光强度视温退火温度变化而......
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的光学性质.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声......
采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退......
本文报导了用分子束外延方法生长的掺ＴｅＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超晶格的温度变化光致发光谱，对于阱宽为９０Ａ超晶格样品，根据发光强度与激发功率的关系得出，低温下的......
利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结......
用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指......
半导体量子点具有独特光电性能,其发光光谱可以随量子点的粒径以及组成元素含量的变化而变化,而且具有一些经典的特性像光热和化学......
