【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在单晶硅表面双面沉积氮化硅/非晶硅叠层,并进行了退火处理,研究了衬底温度、氨气流量以及退火处理对钝化效果的影响.实验结果表明:1)样品的少子寿命随着衬底温度的增加而增加,主要原因是氮化硅的沉积速率随着衬底温度的升高而降低,而沉积速率越低,生长的薄膜越致密,钝化效果会越好;2)样品的钝化效果随着氨气流量(4sccm至lOsccm范围内)的增加而变好;3)
【机 构】
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中国科学院大学,北京100049 北京大学,北京100871
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在单晶硅表面双面沉积氮化硅/非晶硅叠层,并进行了退火处理,研究了衬底温度、氨气流量以及退火处理对钝化效果的影响.实验结果表明:1)样品的少子寿命随着衬底温度的增加而增加,主要原因是氮化硅的沉积速率随着衬底温度的升高而降低,而沉积速率越低,生长的薄膜越致密,钝化效果会越好;2)样品的钝化效果随着氨气流量(4sccm至lOsccm范围内)的增加而变好;3)未经退火处理的样品的少子寿命最高为550微秒左右,而经快热退火处理后能升至802微秒;4)弱的Si-Si键断裂而形成坚固的Si-N键会改善钝化效果.
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