【摘 要】
：
本文实现了一种可控制晶粒大小的“高效”硅片技术.研究结果表明:三种不同平均晶粒大小的“小花”、“中花”和“大花”硅片的位错密度分别为3×104个/cm2、5×103个/cm2和6×103个/cm2,其中“中花”硅片位错密度最低;晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”的原始硅片和扩散后硅片少子寿命均高于其他两种;采用PC1D模拟了硅片(电池)少子寿命与效率的关系;制备的三种“高效”硅片效率平均
【机 构】
：
巨力新能源股份有限公司,河北072550
论文部分内容阅读
本文实现了一种可控制晶粒大小的“高效”硅片技术.研究结果表明:三种不同平均晶粒大小的“小花”、“中花”和“大花”硅片的位错密度分别为3×104个/cm2、5×103个/cm2和6×103个/cm2,其中“中花”硅片位错密度最低;晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”的原始硅片和扩散后硅片少子寿命均高于其他两种;采用PC1D模拟了硅片(电池)少子寿命与效率的关系;制备的三种“高效”硅片效率平均可到17.3％～17.5％,其中“中花”制备的电池平均转换最高比其他两种平均高出0.2％.
其他文献
近年来,基于晶体硅太阳电池前表面各种技术的发展以及相关材料质量的提高,推动了电池转换效率的不断提升.随着硅片朝薄片化的方向发展,为了进一步提高电池效率,电池表面钝化尤其是背表面钝化就显得尤为重要.本文在产业化的5英寸P型CZ单晶硅电池背表面引入采用PECVD技术制备的AlOx/SiNx叠层薄膜,表现出较好的背钝化和背反射效果,电池转化效率达到19.82％,在此基础上通过优化相关工艺并采用SiO2/
由于太阳能电池设计需选择最佳沉积参数和合理的工艺方式,因此ITO薄膜的光电性能需具有优异的匹配性和可靠的数值是必要的.因此采用直流磁控溅射方法,在玻璃基底上制备了优质ITO薄膜.研究了氧氩流量比,溅射功率和溅射压强三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.最终获得最佳电阻率为4.0*10-4 Ω cm,最佳光学透过率为89.1％的ITO.将优化后的ITO膜应用于μ c-Si/c-Si电池上获得了开路
产业化大面积(典型为1245mm×635mm或者1400mm×11OOmm)硅基薄膜太阳电池,尤其是非晶硅/纳米硅双结太阳电池和非晶硅/非晶硅锗/纳米硅三结太阳电池,由于其自身特殊的优势在近几年来得到了广泛的研究和快速的发展.位于非晶硅顶电池和纳米硅底电池之间的NP复合隧穿结主要起着输运光生载流子的作用,来自顶电池的光生电子和来自底电池的光生空穴在NP结界面处进行复合.本文采用新型的NP隧穿结改善
N型纳米SiOx薄膜用于硅基薄膜太阳电池的n层,与传统的a-Si n层或a-Si/nc-Si双层结构的n层相比,SiOx层具有更小的光吸收.同时低折射率的SiOx薄膜具有良好的光反射性能,将更多的太阳光反射到电池中,增加对太阳光的吸收.另外,由于纳米SiOx具有宽的带隙,它能够提高硅基薄膜电池的内建电场,对电池的开路电压以及非晶硅电池的稳定性能都有改善作用.采用掺杂的纳米SiOx薄膜作为电池的n层
激光具有方向性好、能量集中、非接触性等优点,是现代精细加工的重要工具之一.激光钻孔是制作高效MWT电池的关键技术.由于不同脉冲长度的激光与硅片作用的效果不同,本文采用皮秒激光和纳秒激光分别实现硅片钻孔,分析两种激光打孔的形貌特征、损伤情况以及所形成微孔锥度差别.皮秒激光钻孔对硅片损伤小,孔壁光滑并且形成微孔锥度小,适用于MWT加工.
光伏电站的发电量是投资者最关注的指标之一,年发电量大小对项目的投资决策具有很大程度的影响.为纠正不切实际夸大发电效果的错误,分析了影响发电量的4个因素,即光伏电站装机容量、太阳辐照量与日照峰值小时数、光伏电站性能比并结合光伏组件的衰减率,对光伏电站在寿命期内的逐年发电量进行了测算.
随着光伏发电的快速发展,全球光伏组件的制造与安装量成爆炸式上升,可以预见在不久的将来,废旧光伏组件,特别是晶体硅光伏组件的处理将成为各国需要面临的环境问题.欧盟已经将光伏组件纳入了废旧电子电器指令(WEEE),并成立了“PVCYCLE”和“CERES cycle”等回收组织负责处理境内的废旧光伏组件.美国、日本、韩国、波兰、瑞士和台湾等国家和地区的专家自1997年起就已经开始了光伏组件回收技术的探
近年来,我国光伏产业快速发展,光伏电站装机量持续增长,并预计在未来会有更为迅猛的发展.其中晶体硅光伏组件的占有率超过85％.由此,在约30年的寿命周期后,为了对资源的再利用及生态环境的保护,大规模的晶体硅光伏组件亟待进行回收和无害化处理.本文对晶硅光伏组件组成材料种类及含量进行了调研与分析,通过建立数学模型及两种情景模式,测算了我国晶体硅光伏组件在一个寿命周期内(2005年至2034年)的废弃装机
IBC(叉指状背接触背结)太阳电池是一种高效n型晶体硅电池,具有典型的二维结构.本文使用一维模拟软件PCID模拟得到不同方阻发射极的饱和电流密度,将其作为边界条件运用到二维模拟软件PC2D中,模拟得到背面场(n+区)、隔离区和发射极(p+区)宽度比以及背面场和发射极方阻对IBC太阳电池性能的影响,并对模拟结果进行了理论和工艺上的分析与讨论.
采用特制的不锈钢网布,细栅部分100％开孔,栅线线宽50ym,网版寿命可达6万次,并实现了高度均匀、高的高宽比的栅线;采用“process B”方案,通过主栅和副栅两次印刷,降低了银浆耗用量从而降低了成本;最终采用较高的发射区方块电阻、较多的栅线条数,太阳电池的串联电阻下降0.002Ω,平均效率同比提高0.2-0.3％,批量电池平均转化效率达到了17.5％.