基于GaAsPIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片

来源 :2009年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lohansun
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采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25~40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,导通态下开关插损小于1.2dB,驻波优于1.5,关断态下隔离度大于20dB,驻波优于2.5。开关在导通态下1dB功率压缩点P-1大于1W。
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