论文部分内容阅读
本文通过分析线性振荡器基本模型得到了振荡器低噪声的相关参量。在此基础上，根据这些参数的关系设计了ku波段硅锗低噪声放大器，高品质系数介质谐振器，相位调节器等。其中高品质系数介质谐振器的无载品质因素为13,500,由此可设定QL/Q0=1/2，插入损耗-6dB。将放大器，介质谐振器和相位调节器等采用闭环方法连接，可以得到低噪声介质振荡器，其相位噪声在10kHz时，可以达到-125dBc/Hz，这比目前同类同频率段介质谐振器低10～15dB。