【摘 要】
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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PI
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,050051,石家庄 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,20
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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