【摘 要】
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InGaAs/InP雪崩光电二极管（InGaAs/InP APD）是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势。InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院
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InGaAs/InP雪崩光电二极管（InGaAs/InP APD）是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势。InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来。为了探讨国产APD的参数水平,对不同温度不同探测效率下国产InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率,时间抖动性等相关性能参数进行了测量,并与国外数据进行了对比。当国产InGaAs/InP APD工作于一25℃,探测效率10%时,暗计数可低至9.9×10-7/gate,后脉冲仅为1.5%,这表明在InGaAs/InP APD这一领域,我国已接近国外水平,但仍有一定的进步空间。
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