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硅中的氮氧复合物及其施主行为
硅中的氮氧复合物及其施主行为
来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yl19850320
【摘 要】
:
含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮-新施主
【作 者】
:
刘培东
张锦心
李立本
【机 构】
:
大学硅材料科学院家重点实验室,浙江半导体技术有限责任公司
【出 处】
:
1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
氮氧复合物
新施主
热处理条件
物的消失
结构模型
电学性能
硅能
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含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮-新施主的结构模型,并对氮-新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨。
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