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该文在900—1200℃下，分别在空气自然对流、空气流量为20ml／min的条件下，对（111）单晶硅进行了等温氧化动力学研究并观察了氧化膜的形貌，提出了（111）单晶硅干氧氧化动力学满足化学反应控速—四次方混合控速—扩散控速的三段气固相反应机制，清晰地观察到氧化膜随时间变化的形貌，讨论了氧化膜生长的机理。（本刊录）