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提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构工艺相当的同时，大幅提高同尺寸隔离环的隔离能力。
一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法
【摘 要】
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提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构
【机 构】
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上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年期
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