液压成形设备中机架的设计及有限元分析

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液压成形也叫内高压成形,它是利用液体的压力使工件成不同截面形状的一种塑性加工工艺.本文介绍了液压成形原理、工艺过程及在工业上的应用,详细说明了管件液压成型设备的组成.用有限元理论和ANSYS软件对液压成形设备中机架进行分析,指出其理论应用背景及单元的选择,并用传统的方法对其进行设计计算,将两者进行比较得:计算数值相近,均能满足要求,说明设计方法正确.
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本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
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本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.
利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.
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本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH和CH为气源,在相同的SiH和CH的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7
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本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.
运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗口区的方向,转为水平方向(方向).X射线双晶ω扫描发现横向生长区GaN的(0001)晶面发生晶面倾斜,即与窗口区GaN的(0001)晶面之间存在有取向差.