绝大多数自然物质对太赫兹波缺乏有效响应，已有电子器件和光学器件也很难直接对太赫兹传输进行控制。太赫兹功能材料和器件的缺乏，严重制约了太赫兹技术向实用化方向发展，成为太赫兹领域亟待解决的关键问题之一。二氧化钒(VO2)薄膜在室温附近具有绝缘体一金属相变特性，相变过程伴随着显著的电学和光学性能变化，对太赫兹波也有很好的响应特性。本文利用低温磁控溅射技术和聚合物辅助沉积技术，在太赫兹和光学频段透明的基片上制备出高质量的二氧化钒薄膜。利用太赫兹时域光谱系统(THz-TDs)分析了薄膜的绝缘体——金属相变特性，发现相变过程中薄膜对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用。基于这个特性，通过相变材料与人工电磁结构相集成，展示了可调谐太赫兹吸收器和滤波器，显示了VO2相变材料在太赫兹功能器件上巨大的应用潜力。