ZnOZnCdO和ZnOZnMgO超晶格的子带研究

来源 :第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：heiefei

【摘要】

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　　ZnO是具有3.37eV的宽禁带半导体材料，近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-XCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带减小和增大的功能。采用较为简单一维K·P势模型结合有效

【作者】

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雷红文王雪敏赵妍阎大伟符亚军沈昌乐吴卫东

【机构】

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中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900中国工程物理研究院太赫兹研究中心四川绵阳621900

【出处】

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第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

【发表日期】

：

2012年9期

【关键词】

：

氧化锌半导体材料量子级联激光器超晶格结构能级跃迁

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　　ZnO是具有3.37eV的宽禁带半导体材料，近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-XCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带减小和增大的功能。采用较为简单一维K·P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系及子带的meV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将此多量子阱应用于THz量子级联激光器有源区，对粒子数反转和跃迁矩阵做了相关讨论。

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