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该文研究了10x10mm<2>Si双晶基片上制备高TcYBCO DC-SQUIDs工艺及其特性。实验 中采用脉冲激光沉积技术在24°Si(100)双晶基片上原位制备YSZ、CeO<,2>隔离层、YBCO超 导膜及非解导YBCO钝化层、超导薄膜临界温度为88K，77K时的临界电流密度大于2x10<6>A/cm<2>。当桥宽大于10um时双晶结构的I-V特性符合典型的RSJ模型，其IcR<值在77K下可达150uV，而且具有Fraunhofer状的Ic(H)特性。