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利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密度为100A/cm2,比导通电阻7.77mΩcm2.而反向漏电流在3300V反向偏置电压下为226μA。
3300V 10A碳化硅肖特基二极管
【摘 要】
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利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密度为100A/cm2,比导通电阻7.77mΩcm2.而反向
【机 构】
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泰科天润半导体科技(北京)有限公司,北京 100192
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2014年期
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