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本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大，电荷充放电效应增强，测量得到的电容值随之增大。温度进一步上升(>380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K时，深能级缺陷对电容的影响几乎可以忽略不计，在此情况下，两种激励频率下的电容值趋于器件的反向耗尽电容值。