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用FeNO3和HF的水溶液在140℃下与对重B掺杂p型(111)单晶硅片的水热腐蚀,可得到一种复杂的层次结构Si-NPA,微米尺度上有大量高2-3um,间隔2-3um的硅柱均匀分布于硅片表面,硅柱及下面约1um厚的薄层均由纳米多孔硅构成,多孔硅由的数纳米的硅单晶镶嵌于无定型的氧化硅中构成.
CVD法在Si-NPA上沉积的GaN纳米结构薄膜研究
【摘 要】
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用FeNO3和HF的水溶液在140℃下与对重B掺杂p型(111)单晶硅片的水热腐蚀,可得到一种复杂的层次结构Si-NPA,微米尺度上有大量高2-3um,间隔2-3um的硅柱均匀分布于硅片表面,硅柱
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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