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Atomic layer deposition and molecular beam epitaxy-Pushing the material limit for CMOS scaling
【机 构】
：
DepartmentofPhysicsandGraduateInstituteofAppliedPhysics,NationalTaiwanUniversity,Taipei,Taiwan10617D
【出 处】
：
第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会
【发表日期】
：
2012年10期
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