氮对重掺锑硅单晶中位错的影响

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:raoxinyan
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本文通过对重掺锑硅单晶在室温压痕下产生的位错在高温热处理后滑移的观测,研究了氮对重掺锑硅单晶中位错的作用.实验表明,重掺锑硅单晶中位错的滑移与普通轻掺单晶有所不同,位错滑移需要一个明显的孕育期.此外,氮杂质的存在使得相同条件下含氮重掺锑硅单晶比普通的重掺锑硅单晶中位错滑移所需要的孕育期更长,滑移距离更短.
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