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以SiO<,2>/Si,Au/SiO<,2>/Si和玻璃为基片，利用直流磁控溅射装置淀积了nc-ZnO薄膜，应用磁控溅射技术淀积压电nc-ZnO薄膜可以减小电子对nc-ZnO薄膜表面的轰击损伤，增加电子与反应粒子的碰撞几率，同时又减小界面应力，实验获得nc-ZnO薄膜的晶粒尺寸约为25nm，电阴率ρ＞10<9>Ω·cm，晶面族(002)X射线衍射峰位置2θ=34.44，有很好的晶态c轴取向。