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本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DPD校正前后的ACLR随平均输出功率的变化。输入信号为峰均比PAR=7.5dB的单载波WCDMA信号，信号中心频率为2600MHz，器件栅宽为21 mm。器件工作在40W输出功率时DPD校正后的ACLR达到-55dBc，且漏极效率为32％，非常适合用于LTE基站。