论文部分内容阅读
本文介绍了微带PIN单刀单掷开关的设计过程,讨论在用户要求的频段范围内,实现高隔离度的方法.测试结果表明,在5.31~5.81GHz的频率范围内,插损小于2.7dB,隔离度大于55dB.
高隔离微带PIN单刀单掷开关
【摘 要】
：
本文介绍了微带PIN单刀单掷开关的设计过程,讨论在用户要求的频段范围内,实现高隔离度的方法.测试结果表明,在5.31~5.81GHz的频率范围内,插损小于2.7dB,隔离度大于55dB.
【机 构】
：
电子科技大学(成都)
【出 处】
：
2003全国微波毫米波会议
【发表日期】
：
2003年10期
其他文献
本文对一种工作于DCS1800频段高温超导接收机前端低温超低噪声放大器的设计和实现进行研究.分析得出最佳输入匹配电路,以求同时获得低噪声和低驻波比性能并给出噪声系数和温度的关系.关键元件是输入匹配电感值和品质因数,它决定了电路噪声系数和驻波比.实测单级微带放大电路在液氮温度下噪声系数0.56dB、驻波比优于1.4,增益15dB.
由于毫米波系统对振荡器的频率稳定度的要求,本文研究了W波段的谐波VCO,给出了振荡器主模TE传输时的等效电路,分析了该电路达到高频率稳定度的条件,成功的用于指导振荡器的调试,在-40~+55℃温度范围内频率漂移在50MHz之内,并在400MHz电调带宽内线性度优于3﹪.
考虑波导不连续性引起的高次凋落模,将场写为x函数矩阵与y函数矩阵以及系数向量的乘积,通过对相邻区域的y 矩阵进行加权积分得到边界匹配方程组,从而得到转移矩阵.本征方程和场系数都可从转移矩阵得到.数值例子验证了方法的正确性.
本文采用了全电荷格林函数法分析基于典型CMOS工艺下的互连线系统的电特性,对共面传输线的互连电容和电导在0~10GHz的频域特性进行了求解,并与实际测试结果进行了比较,一致性很好.
本文通过对TE模圆极化器的耦合波理论和TE模圆极化器对TE模的影响两个问题的详细计算分析得出了TE模的耦合系数亦即得了波型差相移.指出只要TE模圆极化器的移相面是以90°为间隔旋转对称的,就能保证:TE圆模极化器对TE模无变极化效应;TE模与TE模之间的互耦为零.
本文提出子一种新型多层低温共烧陶瓷(LTCC)三级带通滤波器的结构及其设计方法.首先利用电磁场仿真软件对各谐振器的谐振特性,谐振器与外部电路的耦合特性,以及谐振器之间的耦合特性做详细分析,绘制出设计中需要的各种曲线.在此基础上得到三级切比雪夫响应带通滤波器的尺寸和频响曲线.进一步在第1和第3级谐振器之间引入交叉耦合,并通过改变该交叉耦合的强弱,在阻带中产生位置可调节的传输零点,从而显著地增大传输零
本文对开关电容及相关技术进行了研究,旨在探明用于大功率短波信号传输的CMOS开关电容实现的可能性.在提出新型CMOS开关门、功率及CMOS开关电容后,由实验证明,高频功率CMOS开关电容是可以实现的.