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采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加工制作.
GaAs平面PIN二极管单刀单掷开关单片
【摘 要】
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采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加
【机 构】
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南京电子器件研究所,210016,CHNC
【出 处】
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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
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2006年期
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