集成电路连接测试失效原因探讨

来源 :2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a63685296
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文对集成电路连接性测试的失效现象进行了描述,对连接测试失效的原因进行了探讨,指出导致连接性失效的多种可能原因。
其他文献
本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP/GaAsHBT技术,芯片尺寸为1.86mm×2.26mm,在3.4V工作电压的测试条件下,芯片的功率增益Gp≥36dB,1dB输出功率P-1dB≥37dBm,P-1dB时的功率附加效率PAE≥40%,三阶互调(IMD3)在输出单音功率低于31.2dBm时小于-29.5dBc。
本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP/GaAs HBT技术,芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下,功率放大器芯片在390MHz时的功率增益(Gp)30dB,输出1dB压缩点功率(P-1dB)≥36dBm,P-1dB时功率附加效率(PAE)≥45%,三阶互调(IMD3)小于-33.5dBc。
高功率的微波脉冲可能烧毁低噪声放大器。本文研究了微波脉冲的脉冲宽度对烧毁的影响,建立了用于估算的理论模型,并通过数值求解半导体方程组对模型进行了验证。从模型中亦可看出,烧毁所需微波脉冲的功率会随脉冲宽度升高而下降,但下降速度逐渐趋缓。
设计了应用于WLAN802.11b 2.45GHz功率放大器。详细描述了设计过程,给出了仿真结果,设计基于SMIC0.18μmCMOS工艺和ADS仿真软件。仿真结果显示,采用AB类二级放大结构的功率放大器电路,在1.8V工作电压下,增益为20dB,1dB压缩点输出功率21.06dBm,最大功率附加效率51%。
它就一次长历程特殊的野外冲击与振动试验进行了叙述。在葑外条件下冲击试验、骧动试验方法的确定;仪器设备重新安装后再次校准采用比对校准方法;试验中远程控制信号之间的干扰排除;并给出了典型的冲击振动试验加载曲线。就本次野外试验进行了分析思考,为今后类似靶场试验积累实用经验。
本文在介绍目前国内、外跌落试验机的现状的基础上,分析并发现目前市面上的试验机普遍缺少数据采集功能。为此,本课题提出采用PLC与PC机联合控制,实现跌落试验机数据的采集、分析与存储、打印等功能,克服了现有机型的不足,为国内跌落试验机的研制提供—个新颖、实用的视角。
随着通信技术的快速发展和人们对通信智能性要求的提高,自组织网络成为网络技术发展的重要方向,并在军事和民用领域得到高度重视和广泛应用。由于自组织网络本身的特殊性,其可靠性要求对于自组织网络完成用户特定通信需求至关重要。本文在介绍自组织网络的技术特点及其可靠性影响因素基础上,探索应用仿真方法进行自组织网络的可靠性分析的技术。
可靠性工程试验应围绕试验目的进行,试验的方案设计及管理实施应有针对性。本文讨论了在企业中如何有效地开展有针对性的可靠性工程试验。
当前应用于重大行业关键领域的软件结构日趋复杂,复杂系统对高可靠性的要求往往使其在验证阶段的费用非常昂贵。现有方法通常是在设计阶段为各个组件定义风险水平以便为验证阶段提供依据,该方法无法为测试资源分配提供充足的定量信息,且无法对系统可靠性进行定量分析。同时现有软件可靠性分配模型输入基于大量的假设从而难以用于实践。本文提出了一种软件可靠性测试时间分配模型,该模型通过定量分析以识别软件体系结构中的关键组
本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。