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本文在介绍目前国内、外跌落试验机的现状的基础上，分析并发现目前市面上的试验机普遍缺少数据采集功能。为此,本课题提出采用PLC与PC机联合控制,实现跌落试验机数据的采集、分析与存储、打印等功能，克服了现有机型的不足，为国内跌落试验机的研制提供—个新颖、实用的视角。
一种新型数控跌落试验机的研制
【摘 要】
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本文在介绍目前国内、外跌落试验机的现状的基础上，分析并发现目前市面上的试验机普遍缺少数据采集功能。为此,本课题提出采用PLC与PC机联合控制,实现跌落试验机数据的采集、分析与存储、打印等功能，克服了现有机型的不足，为国内跌落试验机的研制提供—个新颖、实用的视角。
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所 广州 510610
【出 处】
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2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会
【发表日期】
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2010年7期
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本文提出了一款适用于不同国家的RFID标准的宽频带RFID标签天线。通过调节天线的两个关键尺寸，可使天线对不同输入阻抗(实部在10～40Ω，虚部在-50～-j300Ω之间)的标签芯片在840MHz-930MHz频带范围内满足回波损耗(RL)小于-10dB。并且对加工的两款天线进行测量，测量结果与仿真结果吻合良好。
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本文介绍了两种宽带小步进频率源方案，采用YIG振荡器以单环结构实现2～6GHz的频率范围，再通过下变频、分频和倍频的方式实现频率范围覆盖60MHz～12GHz。通过分析小数分频的固有整数边缘杂散，比较两个方案的优缺点，给出了两个方案的适用范围。
本文介绍了基于矢量网络分析仪窄脉冲测试方法和宽脉冲测试方法，并对两种方法进行了理论分析以及测试系统搭建。另外，用窄带法做了脉冲测试实验，在输入脉冲信号的宽度不变，改变其周期，仍保证脉冲功率放大器在饱和态工作的情况下，放大器的微波特性保持良好，说明了窄带法测试的准确性。
本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益Gp≥36dB，1dB输出功率P-1dB≥37dBm，P-1dB时的功率附加效率PAE≥40％，三阶互调(IMD3)在输出单音功率低于31.2dBm时小于-29.5dBc。
本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390MHz时的功率增益(Gp)30dB，输出1dB压缩点功率(P-1dB)≥36dBm，P-1dB时功率附加效率(PAE)≥45％，三阶互调(IMD3)小于-33.5dBc。
高功率的微波脉冲可能烧毁低噪声放大器。本文研究了微波脉冲的脉冲宽度对烧毁的影响，建立了用于估算的理论模型，并通过数值求解半导体方程组对模型进行了验证。从模型中亦可看出，烧毁所需微波脉冲的功率会随脉冲宽度升高而下降，但下降速度逐渐趋缓。
设计了应用于WLAN802.11b 2.45GHz功率放大器。详细描述了设计过程，给出了仿真结果，设计基于SMIC0.18μmCMOS工艺和ADS仿真软件。仿真结果显示，采用AB类二级放大结构的功率放大器电路，在1.8V工作电压下，增益为20dB，1dB压缩点输出功率21.06dBm，最大功率附加效率51％。
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